含光研发了多个生物医疗微流控平台解决方案覆盖生化、免疫和分子诊断,并拥有产业链各个环节数十项专利,可以提供微流控产品的定制研发与生产(CDMO)服务。含光拥有医疗器械生产许可证具备给客户提供相应诊断试剂的委托加工服务的能力和资质。

MEMS加工

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TSV工艺

TSV三维集成技术以穿硅孔互连技术(Through-Silicon Via,简称TSV技术)、芯片层桑技术为支撑的系统级封装(System-In-Package,简称SIP),通过TSV互连在芯片层次实现同质或异质芯片间的垂直集成与通信;与传统 SIP技术相比,具有互连长度短,低延迟,高带宽,高集成密度,小体积,低功耗等技术优势。
TSV工艺
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高深宽比TSV铜电镀填充结构
最大深宽比10,最小直径10μm,最大深度400μm

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(a)通孔

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(b)通孔

环形TSV结构
环形TSV存在中空结构,有利于应力释放,降低封装;
相比全铜填充TSV,环形TSV射频性能更加优异,高频损耗更小


TSV工艺4.jpgTSV工艺5.jpg

空气绝缘低阻硅TSV结构
通过自由端释放温度变化产生的应力,实现低应力封装单个TSV电阻率<1.52Ω


TSV工艺6.pngTSV工艺7.jpg

具有凹坑腔体的玻璃绝缘低阻硅TSI结构
存在与TSI连通的腔体结构,对于小芯片更易定位,垂直互连长度更短,避免大深宽比TSI的制造;
同时降低了封装体积。


TSV工艺8.jpgTSV工艺9.jpg

大尺寸高深宽比玻璃绝缘低阳TSI结构
通过玻璃浆料作为绝缘物填充,具有良好的绝缘性能和生物兼容性。


TSV工艺10.jpgTSV工艺11.jpg

V形TGV结构
玻璃介电性能优异,信号传输完整性较好
CTE与硅接近,且易于加工